Samsung Electronics, le plus grand fabricant mondial de puces mémoire, a indiqué que la pénurie de DRAM et d’autres types de mémoire, alimentée par la demande accrue des centres de données d’IA, est en train de faire monter les coûts de façon significative.

NVIDIA a revu à la hausse les exigences techniques de la mémoire HBM4 destinée à ses futures plateformes (notamment celles basées sur l’architecture Rubin) en demandant des vitesses supérieures à 11 Gbps par broche.

Au CES 2026 à Las Vegas, SK Hynix a exposé un aperçu étendu de ses solutions mémoire de prochaine génération, centrées sur les besoins grandissants de l’intelligence artificielle et des centres de données haute performance.

Des chercheurs de l’Indian Institute of Science (IISc) ont développé un matériau moléculaire « intelligent » capable de réaliser des opérations analogues à celles du cerveau humain.

Au début de l’année 2026, Corsair a été au centre d’une vive controverse après que plusieurs clients ont rapporté l’annulation de leurs commandes sur le magasin en ligne Corsair, suivie de relistings immédiats des mêmes produits à des prix nettement supérieurs.

Récemment, plusieurs publications techniques ont relayé la possibilité qu’ASUS envisagerait de produire ses propres modules mémoire DRAM, notamment en réponse à la pénurie mondiale de mémoire vive (RAM) qui affecte notamment les DDR4 et DDR5.

Le secteur mondial de la DRAM (mémoire vive) traverse une période de tension extrême entre offre et demande, qui ne devrait pas se normaliser rapidement.

SK Hynix annonce qu’il va augmenter significativement sa production de DRAM standard dans les mois à venir, en mobilisant non seulement sa nouvelle usine de Cheongju (M15X), mais aussi en optimisant et reconfigurant certaines lignes existantes dans ses autres usines.

Selon un rapport du 29 novembre 2025, Micron va investir 1,5 billion de yens (soit environ 9,6 milliards de dollars) pour construire une nouvelle usine dédiée à la mémoire à haute bande passante (HBM) dans sa zone industrielle de Hiroshima, dans l’ouest du Japon.

Le 3 décembre 2025, Micron a officiellement annoncé qu’il mettra fin à son activité grand public sous la marque Crucial, qui vendait des SSD et des barrettes RAM destinés aux particuliers, revendeurs et intégrateurs.

La Chine, via son acteur ChangXin Memory Technologies (CXMT), accélère fortement le développement de DRAM avancée, menaçant la domination traditionnelle des fabricants coréens comme Samsung et SK Hynix.

AMD a informé ses partenaires fabricants (ASUS, Gigabyte, PowerColor, etc.) qu’il prévoit d’augmenter ses prix de 10 % sur l’ensemble de sa gamme GPU.

SK Hynix semble préparer une nouvelle génération de puces DDR5 hautes performances baptisées A-Die, identifiées sous la référence « AKBD » et le code interne X021.

D’après une étude du cabinet TrendForce datée du 29 octobre 2025, le marché des DRAM connaît une tension marquée : les prix contractuels de la DDR5, notamment pour les serveurs, sont révisés à la hausse pour le quatrième trimestre, passant d’une estimation initiale de +8 % à +13 % à une nouvelle fourchette de +18 % à +23 %.

SK Hynix a annoncé que sa production de puces mémoire, incluant les segments DRAM, NAND et HBM (High Bandwidth Memory), est d’ores et déjà entièrement réservée pour l’année à venir.

Le standard UFS 5.0, développé par l'organisation JEDEC, marque une évolution significative par rapport à ses prédécesseurs. Il offre une bande passante séquentielle pouvant atteindre 10,8 Go/s, soit près du double de celle d'UFS 4.0, qui est de 5,8 Go/s.

Des chercheurs de l’Université de Toronto ont mis au point une variante nommée GPUHammer, qui exploite une vulnérabilité RowHammer sur les GPU NVIDIA A6000 en mémoire GDDR6 sans ECC.

Cortical Labs, une entreprise australienne, a annoncé le CL1, le tout premier ordinateur biologique commercial, utilisant des cellules cérébrales humaines cultivées sur un support en silicium.