La DRAM avancée chino-coréenne : un tournant stratégique pour le marché mémoire
- ARKTechNews
- 3 déc. 2025
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La Chine, via son acteur ChangXin Memory Technologies (CXMT), accélère fortement le développement de DRAM avancée, menaçant la domination traditionnelle des fabricants coréens comme Samsung et SK Hynix. CXMT développe des nœuds DRAM de plus en plus avancés : après un passage réussi au 16 nm pour sa DDR5, l’entreprise vise déjà le 15 nm, avec des plans de production commerciale dès 2026. La montée en puissance chinoise s’appuie non seulement sur la technologie, mais aussi sur des talents et de l’équipement. Des ingénieurs coréens auraient été recrutés par des entreprises chinoises, et des équipements de production de mémoire avancée sont massivement importés. Cette dynamique crée une véritable pression concurrentielle sur les fabricants coréens, soulignant le caractère “course technologique” dans le secteur mémoire.
La demande IA comme moteur du développement DRAM
La croissance de l’IA alimente une demande massive en DRAM, particulièrement des architectures hautes performances comme la HBM ou des DRAM à haute densité. TSMC et d’autres fondeurs anticipent cette demande comme un “super-cycle DRAM”, ce qui pousse les fabricants à augmenter leurs capacités. Dans cette perspective, les investissements chinois dans des DRAM de pointe ne sont pas purement nationaux : ils s’inscrivent dans la course mondiale pour fournir l’infrastructure mémoire des datacenters IA.
Les enjeux politiques et stratégiques
L’essor de DRAM avancée en Chine a également des implications géopolitiques. Cette montée en puissance est étroitement liée à des stratégies de souveraineté industrielle : la Chine, soutenue par l’État, veut réduire sa dépendance aux fabricants étrangers. Cette ambition technologique fait craindre aux observateurs un basculement partiel du leadership DRAM mondial, particulièrement si la Chine parvient à produire des DRAM de très haute performance à grande échelle.
Les ripostes coréennes
Face à cette menace croissante, des géants coréens comme Samsung s’adaptent. Samsung prévoit de convertir certaines lignes de production de NAND Flash en production DRAM pour répondre à la demande croissante en mémoire destinée à l’IA. Cette stratégie montre que la Corée n’entend pas céder sans combattre : en renforçant sa capacité DRAM, elle vise à conserver un avantage technologique clé.
Une bascule possible du marché mémoire
Le développement de DRAM avancée par la Chine, notamment via CXMT, représente plus qu’un simple défi technologique : c’est une stratégie industrielle profonde. En combinant savoir-faire, ressources humaines et soutien national, la Chine peut potentiellement redéfinir les équilibres mondiaux du marché DRAM. Si la Corée répond avec des investissements massifs et des ajustements de production, le marché mémoire des prochaines années pourrait être celui de la “nouvelle guerre froide technologique”, une compétition où la mémoire joue un rôle stratégique aussi important que les processeurs.
Sources :
CXMT begins producing advanced LPDDR5X memory chips as China narrows tech gap – South China Morning Post
