NVIDIA a revu à la hausse les exigences techniques de la mémoire HBM4 destinée à ses futures plateformes (notamment celles basées sur l’architecture Rubin) en demandant des vitesses supérieures à 11 Gbps par broche.

Au CES 2026 à Las Vegas, SK Hynix a exposé un aperçu étendu de ses solutions mémoire de prochaine génération, centrées sur les besoins grandissants de l’intelligence artificielle et des centres de données haute performance.

Dans un changement notable de la dynamique des semi-conducteurs, les divisions mémoire de Samsung Electronics et de SK Hynix devraient enregistrer des marges brutes plus élevées que celles de Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) pour la première fois depuis 2018, selon des projections de marché.

Le secteur mondial de la DRAM (mémoire vive) traverse une période de tension extrême entre offre et demande, qui ne devrait pas se normaliser rapidement.

SK Hynix annonce qu’il va augmenter significativement sa production de DRAM standard dans les mois à venir, en mobilisant non seulement sa nouvelle usine de Cheongju (M15X), mais aussi en optimisant et reconfigurant certaines lignes existantes dans ses autres usines.

SK Hynix semble préparer une nouvelle génération de puces DDR5 hautes performances baptisées A-Die, identifiées sous la référence « AKBD » et le code interne X021.

SK Hynix a annoncé que sa production de puces mémoire, incluant les segments DRAM, NAND et HBM (High Bandwidth Memory), est d’ores et déjà entièrement réservée pour l’année à venir.

En 2025, la Corée du Sud prévoit de dépasser les 165 milliards de dollars d'exportations de semi-conducteurs, établissant un nouveau record pour la deuxième année consécutive.