SK Hynix vise à doubler sa production de 1c DRAM avant 2027

Le fabricant sud-coréen SK Hynix a décidé d’accélérer significativement l’expansion de sa production de 1c DRAM, une mémoire dynamique (DRAM) de nouvelle génération qui sert à la fois les marchés grand public et les applications haut débit comme les modules HBM4 (High Bandwidth Memory) destinés aux accélérateurs IA et serveurs. Selon des médias sud-coréens, l’entreprise prévoit que, d’ici début 2027, sa capacité mensuelle de production de wafers 1c DRAM passera de l’objectif initial d’environ 90 000 plaquettes à entre 170 000 et 200 000 plaquettes par mois ; cela représente plus du double de la projection fixée il y a un an, dans un contexte de forte pression sur les capacités mondiales de mémoire.

Réorganisation des lignes de production

Pour soutenir cette montée en puissance, SK Hynix réaffecte certaines de ses lignes de fabrication : par exemple, des anciennes lignes de DRAM traditionnelles 1a et 1b dans son complexe de production seront converties pour produire du 1c DRAM. L’entreprise a également engagé des discussions avec plusieurs fournisseurs d’outillage afin de mettre en place l’infrastructure nécessaire à cette extension de capacité, qui s’inscrit dans une poursuite des hausses de volumes constatées tout au long de 2025.

Une stratégie alignée sur la demande mémoire mondiale

L’accélération de la capacité DRAM de SK Hynix s’inscrit dans une poursuite du boom de la demande mondiale en mémoire, impulsé par les besoins croissants des centres de données et des charges de travail liées à l’intelligence artificielle. La DRAM 1c constitue une pièce maîtresse pour les applications à forte bande passante, avec une adoption accrue dans des systèmes nécessitant à la fois performances et efficacité. La société est également déjà un fournisseur majeur de HBM4, matériel critique pour des architectures IA haut de gamme, et aurait sécurisé une grande part des commandes de ce type de mémoire auprès de clients majeurs comme Nvidia.

Contexte et perspectives du marché

Cette expansion est révélatrice d’une pénurie persistante de mémoire à haute performance, où les capacités ont été réservées presque totalement jusqu’en 2026, et où les fabricants se disputent des ressources limitées tout en poursuivant des projets d’investissement massifs dans de nouvelles installations et technologies. SK Hynix anticipe que cette stratégie de montée en capacité lui permettra de maintenir sa position de leader dans le segment mémoire pour l’IA face à la concurrence mondiale, alors que la demande continue de croître.

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Sources :

韓媒：SK 海力士計劃 2027 年初前將 1c DRAM 產能翻倍 – TechNews

SK Hynix to Double 1c DRAM Output by 2027 – SmBom