Dans un changement notable de la dynamique des semi-conducteurs, les divisions mémoire de Samsung Electronics et de SK Hynix devraient enregistrer des marges brutes plus élevées que celles de Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) pour la première fois depuis 2018, selon des projections de marché.

Le secteur mondial de la DRAM (mémoire vive) traverse une période de tension extrême entre offre et demande, qui ne devrait pas se normaliser rapidement.

Selon un rapport du 29 novembre 2025, Micron va investir 1,5 billion de yens (soit environ 9,6 milliards de dollars) pour construire une nouvelle usine dédiée à la mémoire à haute bande passante (HBM) dans sa zone industrielle de Hiroshima, dans l’ouest du Japon.

Le 3 décembre 2025, Micron a officiellement annoncé qu’il mettra fin à son activité grand public sous la marque Crucial, qui vendait des SSD et des barrettes RAM destinés aux particuliers, revendeurs et intégrateurs.

SK Hynix a annoncé que sa production de puces mémoire, incluant les segments DRAM, NAND et HBM (High Bandwidth Memory), est d’ores et déjà entièrement réservée pour l’année à venir.

La Chine prévoit de tripler sa production de puces d’intelligence artificielle d’ici 2026. Cet objectif fait partie d’une stratégie nationale visant à réduire la dépendance vis-à-vis de fournisseurs étrangers, notamment Nvidia.

TSMC et Marvell ont établi une coopération stratégique visant à développer une plateforme de puces 2 nm dédiée aux ASIC pour l’infrastructure accélérée, notamment l’IA, le cloud, les centres de données et les applications optiques.