Samsung Electronics prévoit de commencer la production de masse de ses puces mémoire à très large bande passante de sixième génération (HBM4) plus tard ce mois‑ci, avec des expéditions aux clients prévues dès la troisième semaine de février 2026.

Le fabricant sud-coréen SK Hynix a décidé d’accélérer significativement l’expansion de sa production de 1c DRAM, une mémoire dynamique (DRAM) de nouvelle génération qui sert à la fois les marchés grand public et les applications haut débit comme les modules HBM4 (High Bandwidth Memory) destinés aux accélérateurs IA et serveurs.

NVIDIA a revu à la hausse les exigences techniques de la mémoire HBM4 destinée à ses futures plateformes (notamment celles basées sur l’architecture Rubin) en demandant des vitesses supérieures à 11 Gbps par broche.

Au CES 2026 à Las Vegas, SK Hynix a exposé un aperçu étendu de ses solutions mémoire de prochaine génération, centrées sur les besoins grandissants de l’intelligence artificielle et des centres de données haute performance.

Lors de sa conférence d’ouverture au CES 2026, la PDG d’AMD, Lisa Su, a présenté le nouveau GPU Instinct MI455X, une puce dédiée aux charges de travail d’intelligence artificielle et aux infrastructures de calcul de très haute performance.